Los diodos GS0T03-GS08 son diodos de avalancha de silicio diseñados para proteger circuitos electrónicos contra daños causados por descargas electroestáticas (ESD). Ofrecen una respuesta rápida y una baja capacitancia, lo que los hace ideales para proteger dispositivos sensibles a ESD en una amplia gama de aplicaciones.
Características:
- Tipo: Diodo supresor de ESD de avalancha de silicio
- Fabricante: Diodes Incorporated
- Voltaje de avalancha (VBR): de 3V a 8V
- Corriente de avalancha (Ipp): 8A (máxima)
- Capacitancia (C): de 0.5pF a 1.5pF
- Tiempo de respuesta: <1ns
- Encapsulado: SOD-323 (SMD)
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