El 21N50C3 es un transistor MOSFET de canal N para montaje en superficie. Es un dispositivo de potencia media diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia de media y alta tensión.
Características principales:
- Tipo: MOSFET de canal N (Enhancement mode)
- Tensión drenador-fuente (Vdss): 500 V
- Corriente de drenaje (Id): 21 A
- Resistencia de encendido (Rds(on)): típicamente inferior a 0.4 Ω
- Disipación de potencia (Pd): 110 W (dependiendo de la temperatura del encapsulado)
- Encapsulado: TO-247 (encapsulado metálico para montaje en disipador)
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